晶闸管和IGBT有啥区别?

2023-01-09

本文主要是 晶闸管和IGBT有什么区别? 相关的知识问答,如果你也了解,请帮忙补充。

1、名称不同:晶闸管简称为SCR,IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。

2、材料不同: IGBT为全控型器件,SCR为半控型器件。

3、控制方式不同: SCR是通过电流来控制,IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断。

4、开关频率不同: SCR的开关时间较长,所以频率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右,IGBT单管开关频率更高,达50KHZ以上。

5、市场前景不同:IGBT在逐步替代晶闸管,晶闸管在市场上的份额越来越少。

扩展资料

晶闸管和IGBT的应用:

1、IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

2、晶闸管被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

参考资料

百度百科-晶闸管

百度百科-IGBT

参考知识1 晶闸管又叫闸流管,它可以像开关一样通断电流,像闸门一样关停水流,它的核心作用就是一个字----“闸”;所以晶闸管有两个状态,一个是导通状态,一个是截至状态;晶闸管的状态怎么改变,它有一个控制极,又叫触发极,给触发极加控制电压,就可使晶闸管的状态反转;不同材料、不同结构的晶闸管,控制极的控制电压的性质、幅度、宽度、作用都不一样;1、比如,SCR晶闸管,它的控制电压相对阴极为正极性脉冲,脉冲宽度大约5μs ,幅度5v--10v;2、SCR晶闸管只能触发导通,不能触发关断,称之为半控器件;3、IGBT晶闸管,其结构为绝缘栅双极场效应晶体管,可以触发导通,也可以触发管断,所以称为全控器件;4、IGBT晶闸管优点:输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低(甚至接近GTR的饱和压降)、耐压高、电流大。本回答被提问者采纳
相似知识
电磁炉晶体管 参考知识1电磁炉单管功率小热得慢,双管热的快,瓷盘和晶体盘是一样的 参考知识B是IGBT,一般是INFINEON或者是FAIRCHILD的IGBT,电磁炉都用这些功率管!
IGBT模块与IGBT单管有啥不同? 参考知识1两个模块的区别就是走的线路不同,而且影响的结果也是不同的。
UPS中的整流器类型有IGBT和12脉冲,这两者在功能上有啥区别 6脉冲12脉冲都是针对可控硅说的,12脉冲要比6脉冲的好,输入谐波要少!igbt是高频整流。igbt比可控硅的优势就是对市电干扰比较少,相对可控硅来说igbt不是特别稳定,这也是常说的工频机和高频机的
晶闸管是电流型还是电压型器件?是怎样区分的?原则是啥? 参考知识1晶闸管属于电流型器件,而场效应管IGBT才是电压型器件。晶闸管一般是指可控硅。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单
IGBT模块与IGBT单管有啥不同 IGBT单管为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包
电磁炉单晶体管和多晶体管有啥区别?哪个好呢? 答;1电磁炉多晶体管,比单晶体管传热量快,散热量也快,工作效率也高昂2.多晶体管3.是参考知识1你说的是正确的 参考知识B一个是单另一个是多的
可控硅金属头和所料头的有啥区别 可控硅知识可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子
IGBT单管和MOS管的区别,MOSFET是MOS吗? IGBT单管和MOS管的区别:1、从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet