我国科学家首次获得纳米级光雕刻三维结构，这一重大发现究竟有啥意义呢？

首先是对于控制激光运动方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直接写入和擦除有重要意义。这项新技术突破了传统飞秒激光器的光衍射极限，首次将光刻铌酸锂的三维结构尺寸从传统的1微米级缩小时间。纳米级，可达30纳米，大大提高加工精度。未来或可开辟光电芯片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，在 5G / 6G 通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。 

其次是对于关键元器件的芯片制备有重大意义。要知道光刻，顾名思义，就是蚀刻，但对象不是硅片，而是光刻胶膜，就是改变光刻胶膜的一部分，用特殊的化学试剂清洗后，那部分就是光刻胶。照明和未照明的部分。此步骤称为显影，之后用蚀刻剂蚀刻图案。也就是说，在半导体工艺流程中，如果要在晶圆上制作图案，应该是光刻、显影、蚀刻。

再者是对于推动高性能铁电畴壁纳米电子器件的发展有深远意义。如大容量可重写非易失性存储器；在声学领域，纳米周期铁电畴结构可以实现超高频声谐振器和滤波器。飞秒激光偏振技术可以进一步应用于其他铁电晶体，包括钽酸锂和磷酸钛钾晶体等，推动高性能三维光、声、电集成器件的发展。

要知道的是作为当代科技发展的结晶，芯片在军事、民用等领域发挥着不可替代的重要作用。但随着集成电路的不断发展，传统电子集成电路在带宽和能耗方面逐渐逼近极限，光刻机出货量有限。因此，作为全球半导体产业的重要板块，光电芯片被业界视为“最有希望的接班人”。