极紫外光刻的背景

英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监Yan Borodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的最佳解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。”
在10年的SPIE先进光刻技术会议上，AMD公司的Bruno La Fontaine展示了IBM联盟开发的“台风”芯片，该芯片线宽为45 nm，完全现场测试，第一层金属采用极超紫外线（EUV）光刻技术实现。去年年中完成该项目后，IBM联盟——包括IBM、AMD、东芝和其它合作方——决定再上一个台阶。AMD技术团队的核心成员、IBM联盟EUV项目（纽约奥尔巴尼）经理Obert Wood介绍，“我们正在向32 nm技术进军，但技术进步如此迅速，要是在32 nm技术上耗费过多时间，我们可能永远无法实现16 nm技术，我认为16 nm技术节点将采用EUV光刻。”
显然，这两家公司的发展路线将会决定光刻技术的发展方向。